Резистор R предотвращает смещение транзистора Т2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов Т1 и Т2. Токи утечки измеряются в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов. Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде. Кроме того, через него должен протекать ток, малый по сравнению с базовым током транзистора Т2. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, как правило, и эмиттерный резистор.